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MBT3906DW1T1G

厂商名称：Onsemi

元件分类：三极管

中文描述：

双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, 40 V, 200 mA

英文描述：

Dual PNP Bipolar Transistor,SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD,3000-REEL

数据手册：

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MBT3906DW1T1G概述

双PNP双极晶体管是我们广受欢迎的SOT-23/SOT-323三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT-363六引脚表面贴装封装。该器件将两个分立器件封装在一个封装内，非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

特性

hFE,100-300

低VCE（饱和），≤400 mV

简化电路设计

减少电路板空间

减少元件数量

提供8毫米、7英寸/3,000个单元的卷带包装

器件标记：MBT3906DW1T1=A2

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS规范

S前缀，适用于汽车和其他需要独特的现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并可进行PPAP生产

MBT3906DW1T1G中文参数

制造商:	onsemi	发射极 - 基极电压 VEBO:	5 V
产品种类:	三极管	集电极—射极饱和电压:	400 mV
安装风格:	SMD/SMT	最大直流电集电极电流:	200 mA
封装 / 箱体:	SOT-363-6	Pd-功率耗散:	150 mW
晶体管极性:	PNP	增益带宽产品fT:	250 MHz
配置:	Dual	最小工作温度:	- 55 ℃
集电极—发射极最大电压 VCEO:	40 V	最大工作温度:	+ 150 ℃
集电极—基极电压 VCBO:	40 V	系列:	MBT3906DW1